my
دانشمندان آمریکایی نانوماده جدیدی را توسعه دادند که قادر است جریانهای الکتریکی را هدایت کند و در ساخت رایانه ای که بتواند مدارات خود را تغییر دهد استفاده شود.
به گزارش خبرگزاری مهر، دانشمندان دانشگاه نورث وسترن معتقدند که این نانوماده جدید می تواند منجر به ساخت رایانه ای شود که قادر است سیم کشی داخلی خود را نوسازی کند و به دستگاه کاملا متفاوتی تبدیل شود.
از آنجا که دستگاههای الکترونیکی روز به روز درحال کوچک شدن هستند، دانشمندان در تلاشند از موادی برای ساخت مدارات آنها استفاده کنند که تحت تاثیر پدیده های مکانیک کوانتومی قرار داشته باشند.
در این راستا، دانشمندان نورث وسترن مواد الکترونیکی را به روشی نوسازی کردند که بتوانند خود را برای انجام عملکردهای محاسباتی متفاوت در زمانهای مختلف به طور مرتب سازماندهی کنند.
این محققان در این خصوص توضیح دادند: “این فناوری جدید استفاده از مسیر جریانهای متفاوت مداوم را از طریق یک ماده امکانپذیر می کند. این دقیقاً مشابه این است که بخواهیم مسیر جریان یک رودخانه را برای آبرسانی به مناطق دیگر تغییر دهیم. به این ترتیب، جریان الکترونها می تواند از طریق این نانو ماده در جهتهای مختلف حرکت کند. همچنین می توانیم به طور همزمان جریانهای متعددی را داشته باشیم که در جهتهای مخالف هم حرکت می کنند.”
در این ماده جدید، جنبه های مختلف سیلیکون و چند پلیمر برای ساخت گروه جدید از مواد الکترونیکی ترکیب شده است.
براساس گزارش Nature Nanotechnology، این گروه جدید از مواد، “نانوذرات با پایه الکترونیکی” نام دارد.
این دانشمندان اظهار داشتند: “علاوه بر ساخت یک پل سه بعدی میان فناوریهای موجود، ویژگی برگشت پذیری این ماده جدید می تواند برای ساخت رایانه ای که خود را دوباره سیم کشی کرده و مدارات خود را با عملکردها و نیازهای جدید سازگار می کند بسیار کاربردی باشد.”
این ماده هیبریدی ترکیبی از ذراتی است که به صورت الکتریکی هادی جریان الکتریسیته هستند. هر ۵ نانومتر از طول این ذرات با یک ماده شیمیایی ویژه دارای بار مثبت پوشیده شده است. این ذرات توسط دریایی از اتمهای دارای بار منفی احاطه شده اند که بارهای مثبت روی روکش ذرات را خنثی می کنند. با استفاده از یک بار الکتریکی از طریق این ماده، بارهای منفی می توانند جابجا شوند و خود را دوباره شکل دهند اما ذرات مثبت نمی توانند جابجا شوند. این نانوماده می تواند در ساخت دیودها و یا ترانزیستورهای برپایه مدارات چند بعدی به کار رود.
