نانوزیست حسگری برای شناسایی زودهنگام پارکینسون
پژوهشگران کرهای با استفاده از نانوساختارهای گرافنی موفق به ساخت زیست حسگری برای شناسایی بیماری پارکینسون شدند. حساسیت این حسگر به حدی است که میتوان بیماری را در مراحل اولیه شناسایی کرد.
پژوهشگران کرهای با استفاده از نانوساختارهای گرافنی موفق به ساخت زیست حسگری برای شناسایی بیماری پارکینسون شدند. حساسیت این حسگر به حدی است که میتوان بیماری را در مراحل اولیه شناسایی کرد.
شرکت هایدال اخیرا جوهر جدیدی ساخته است که هم رسانای الکتریکی بوده و هم در اثر خم شدن ترک برنمیدارد. این جوهر حاوی نانوساختارهای کربنی بوده و برای استفاده در صنعت الکترونیک بسیار ایدهآل است.
پژوهشگران دانشگاه کارولینای جنوبی موفق به ساخت غشائی از جنس اکسید گرافن شدند. این غشاء که ضخامت آن دو نانومتر است میتواند به صورت انتخابی هیدروژن را از دیاکسیدکربن جدا کند.
پیچیدهترین مدار الکترونیکی گرافنی جهان توسط شرکت IBM ساخته شد. این مدار یک گیرنده الکترونیکی است که محققان این شرکت موفق به ارسال کلمه IBM با این گیرنده با یک تلفن همراه شدند.
پیکوسان (Picosun) دستگاه لایهنشانی جدیدی برای تولید گرافن به بازار عرضه کرده است. این دستگاه در راستای تامین نیاز پروژههای اتحادیه اروپا ساخته شدهاست.
دانشگاه ملی سنگاپور همکاری مشترکی با شرکت باسف (BASF) آغاز کرده که هدف از آن تولید ادوات الکترونیکی انعطافپذیر آلی با گرافن است. این گروه روش جدیدی را برای سنتز گرافن ارائه کردهاند که در حال ثبت پتنت مربوط به آن هستند.
محققان آمریکایی موفق به ساخت تراشهای شدند که با استفاده از آن میتوان سلولهای سرطانی شناور در گردش خون را شناسایی کرد. این ابزار برای شناسایی زودهنگام سرطان و احتمالا درمان آن میتواند مفید باشد.
با آغاز سال جدید میلادی، شرکت گرافنا (Graphenea) موفق به کاهش 27درصدی قیمت محصولات گرافنی خود شد. این کاهش قیمت به دلیل افزایش کارایی خط تولید و نصب تجهیزات جدید صورت گرفته است. این شرکت قصد دارد هر سال قیمت محصولات خود را کاهش دهد.
محققان اسپانیایی با استفاده از گرافن و یک ماده معدنی حاوی کلسیم، پیل خورشیدی با کارایی بالا تولید کردند.
نااکی یوکویاما و همکارانش در موسسه ملی علوم صنعتی پیشرفته و فناوری (AIST)، با همکاری مرکز نوآوری نانوابزارهای پیشرفته، موفق به ساخت ترانزیستور گرافنی با اصول عملکردی جدید شدهاند. در این ترانزیستور پیشرفته، دو الکترود و دو گیت بالا بر روی گرافن قرار داده شدند و گرافنِ بین گیتهای بالایی به منظور ایجاد نقصهای بلوری با پرتو یون هلیوم مورد تابش قرار گرفت.