ترانزیستور

نااکی یوکویاما و همکارانش در موسسه ملی علوم صنعتی پیشرفته و فناوری (AIST)، با همکاری مرکز نوآوری نانوابزارهای پیشرفته، موفق به ساخت ترانزیستور گرافنی با اصول عملکردی جدید شده‌اند. در این ترانزیستور پیشرفته، دو الکترود و دو گیت بالا بر روی گرافن قرار داده شدند و گرافنِ بین گیت‌های بالایی به منظور ایجاد نقص‌های بلوری با پرتو یون هلیوم مورد تابش قرار گرفت.

محققان دانشگاه منچستر با ساخت نوع جديدي از ترانزيستور گرافني يک قدم به سمت غلبه بر مشكل رسانايي گرافن در حالت خاموشي دستگاه حركت كرده‌اند.